該內存模組將配備較為成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 級）工藝 DRAM 內存顆粒，發揮 CXL 內存模塊對 DRAM 顆粒性能要求較低的優勢。未來三星電子還將推出顆粒更為先進的版本。
▲ 三星電子 CMM-D 模組除 CMM-D 外，三星電子還規劃了多個類型的 CXL 存儲產品，包含配備多個 CMM-D 模塊的 CMM-B 內存盒模組、同時搭載 DRAM 內存和 NAND 閃存顆粒的 CMM-H 混合存儲模組。
Choi Jang Seok 提到三星電子正在內部研究另一類名為 CMM-DC 產品，其在 CMM-D 的基礎上還具備計算能力。
展望未來，Choi Jang Seok 稱：“當 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多個主機間共享 CXL 內存資源）技術得到支持后，CXL 市場將在 2028 年左右全面開花。”
星今日宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。
新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4 DRAM芯片組成。
三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
當然，換用更先進的制造工藝和采用更高容量后，不僅功耗減少39%，速度也快了11%。
按照三星的官方數據，配備2x32GB新內存的游戲本，活動功耗會低于4.6瓦，空閑功耗會低于1.4瓦。
目前，三星的10nm工藝級的DRAM產品已經涵蓋最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。
T之家 9 月 26 日消息，三星電子宣布已開發出其首款 7.5Gbps（IT之家注：0.9375GB/s）低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態規格，有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態隨機存取存儲器） 市場，甚至改變數據中心的 DRAM 市場。
三星新聞稿稱，截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組）。然而受結構限制，LPDDR 需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修或升級換代期間難以更換。相比之下，雖然 So-DIMM 可以更方便地被安裝或拆卸，但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。
隨著行業對更高效、更小巧設備的需求日益增長，LPCAMM 有望同時克服 LPDDR 和 So-DIMM 的缺陷。LPCAMM 作為一種可拆卸模組，在制造過程中為個人計算機和筆記本電腦制造商提供了更大的靈活性。此外，與 So-DIMM 相比，LPCAMM 在主板上所占的最多可減少 60%。這不僅能更有效地利用設備的內部空間，還將性能和能效分別提高了 50% 和 70%。