衣作為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊挛铮渲谱鞴に嚱?jīng)歷了多年的發(fā)展和創(chuàng)新。在早期，內(nèi)衣的制作主要依賴人工手工操作，隨著科技的進步和工藝的創(chuàng)新，內(nèi)衣制造過程變得更加高效、精確和環(huán)保。本文將帶您了解內(nèi)衣制作工藝的創(chuàng)新技術(shù)和工藝流程。
一、技術(shù)創(chuàng)新：
1.CAD設(shè)計技術(shù)：計算機輔助設(shè)計（CAD）技術(shù)的引入使得內(nèi)衣設(shè)計更加精確和高效。設(shè)計師可以利用CAD軟件進行三維建模和樣板制作，以便更好地預覽和調(diào)整設(shè)計細節(jié)。這種技術(shù)不僅提高了設(shè)計的準確性，還縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期。
2.3D打印技術(shù)：3D打印技術(shù)在內(nèi)衣制造中也發(fā)揮著重要作用。通過3D打印技術(shù)，可以根據(jù)客戶的個體數(shù)據(jù)直接打印出符合其身體曲線的內(nèi)衣模具。這種定制化的生產(chǎn)方式不僅提高了內(nèi)衣的貼合度，還節(jié)省了生產(chǎn)成本和時間。
3.粘合技術(shù)：傳統(tǒng)的內(nèi)衣生產(chǎn)過程中通常使用針線進行縫制。然而，隨著粘合技術(shù)的應用，內(nèi)衣的制作變得更加簡便和高效。粘合技術(shù)使用熱熔膠或特殊膠水將面料粘合在一起，取代了傳統(tǒng)的縫紉方法。這種技術(shù)提供了更好的舒適度和外觀效果，并且可以減少內(nèi)衣上的線頭和痕跡。
二、工藝流程：
1.面料選擇：內(nèi)衣的制作通常開始于面料的選擇。根據(jù)設(shè)計要求和功能需求，選擇合適的面料，如棉質(zhì)、絲綢、彈力纖維等。優(yōu)質(zhì)的面料能夠提供更好的舒適度和耐用性。
2.切割和縫制：根據(jù)設(shè)計師的圖紙和樣板，將面料進行切割，并進行相應的縫制工藝。這包括針對不同部位的裁剪和縫制，如杯型、肩帶、邊緣等。
3.調(diào)整和試穿：在內(nèi)衣制作過程中，對于每個尺碼和樣式，需要進行多次調(diào)整和試穿。這有助于確保內(nèi)衣的貼合度和舒適度。
4.檢驗和包裝：在內(nèi)衣制作完成后，會進行一系列的檢驗工序，以確保產(chǎn)品質(zhì)量符合標準。然后將內(nèi)衣進行包裝，并配備相應的吊牌、洗標等。
5.售后服務：好的內(nèi)衣品牌通常會提供售后服務，如尺碼調(diào)整、產(chǎn)品保修等。這有助于滿足消費者的需求，并增強品牌的信譽度。
總結(jié)起來，內(nèi)衣制造過程中的創(chuàng)新技術(shù)和工藝流程使得內(nèi)衣的生產(chǎn)更加高效、精確和環(huán)保。CAD設(shè)計技術(shù)、3D打印技術(shù)和粘合技術(shù)的引入帶來了更好的設(shè)計和生產(chǎn)效果。而在工藝流程中，面料選擇、切割和縫制、調(diào)整和試穿、檢驗和包裝以及售后服務都是確保內(nèi)衣質(zhì)量和用戶體驗的重要環(huán)節(jié)。隨著科技的不斷進步，內(nèi)衣的制造工藝仍將不斷創(chuàng)新，為消費者提供更好的產(chǎn)品和服務。
許多對電腦知識略知一二的朋友大多會知道CPU里面最重要的東西就是晶體管了，提高CPU的速度，最重要的一點說白了就是如何在相同的CPU面積里面放進去更加多的晶體管，由于CPU實在太小，太精密，里面組成了數(shù)目相當多的晶體管，所以人手是絕對不可能完成的，只能夠通過光刻工藝來進行加工的。
這就是為什么一塊CPU里面為什么可以數(shù)量如此之多的晶體管。晶體管其實就是一個雙位的開關(guān)：即開和關(guān)。如果您回憶起基本計算的時代，那就是一臺計算機需要進行工作的全部。兩種選擇，開和關(guān)，對于機器來說即0和1。那么您將如何制作一個CPU呢？在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路芯片的全過程。
如果問及CPU的原料是什么，大家都會輕而易舉的給出答——硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價格昂貴，結(jié)構(gòu)復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經(jīng)歷一個復雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那么成品的質(zhì)量會怎樣，你還能用上像現(xiàn)在這樣高性能的處理器嗎？
除去硅之外，制造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經(jīng)成為制作處理器內(nèi)部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好于銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質(zhì)原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響芯片的邏輯功能，進而導致芯片無法使用。
除了這兩樣主要的材料之外，在芯片的設(shè)計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。
在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業(yè)使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器而完成的。
而后，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內(nèi)部原子是晶體結(jié)構(gòu)，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。
不過現(xiàn)在intel和其它一些公司已經(jīng)開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當?shù)碾y度的，不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究，還是可以實現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復雜程度更高，功能更強大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。
在制成硅錠并確保其是一個絕對的圓柱體之后，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產(chǎn)的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質(zhì)量檢驗尤為重要，它直接決定了成品CPU的質(zhì)量。
新的切片中要摻入一些物質(zhì)而使之成為真正的半導體材料，而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質(zhì)原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發(fā)生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體制造多選擇CMOS工藝（互補型金屬氧化物半導體）。
其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數(shù)情況下，切片被摻入化學物質(zhì)而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設(shè)計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。同時在多數(shù)情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現(xiàn)，因為在制造過程的后期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。
在摻入化學物質(zhì)的工作完成之后，標準的切片就完成了。然后將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監(jiān)測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米制造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出端口電壓的大小。
準備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它控制應用。這層物質(zhì)在干燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結(jié)束之后，能夠通過化學方法將其溶解并除去。
這是目前的CPU制造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什么這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕， 由此改變該處材料的化學特性。這項技術(shù)對于所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。
設(shè)計每一步過程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來計量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小只有100個平方毫米的芯片上，那么這個芯片的結(jié)構(gòu)有多么復雜，可想而知了吧。
當這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。
在殘留的感光層物質(zhì)被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由于此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列端口電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經(jīng)過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經(jīng)基本成型了。然后，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創(chuàng)建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作端口。
從這一步起，你將持續(xù)添加層級，加入一個二氧化硅層，然后光刻一次。重復這些步驟，然后就出現(xiàn)了一個多層立體架構(gòu)，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態(tài)了。在每層之間采用金屬涂膜的技術(shù)進行層間的導電連接。今天的P4處理器采用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數(shù)取決于最初的版圖設(shè)計，并不直接代表著最終產(chǎn)品的性能差異。
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關(guān)接一關(guān)的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現(xiàn)的等等。而后，晶圓上每一個出現(xiàn)問題的芯片單元將被單獨測試來確定該芯片有否特殊加工需要。
而后，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器芯片單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的芯片單元將被采用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種接口規(guī)格的主板了。大多數(shù)intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。
在處理器成品完成之后，還要進行全方位的芯片功能檢測。這一部會產(chǎn)生不同等級的產(chǎn)品，一些芯片的運行頻率相對較高，于是打上高頻率產(chǎn)品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的芯片則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在芯片功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導致絕大多數(shù)的CPU癱瘓），那么它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產(chǎn)品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。
當CPU被放進包裝盒之前，一般還要進行最后一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據(jù)前面確定的最高運行頻率不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。
讀完這些，相信你已經(jīng)對CPU的制造流程有了一些比較深入的認識。CPU的制造，可以說是集多方面尖端科學技術(shù)之大成，CPU本身也就那么點 大，如果 把里面的材料分開拿出來賣，恐怕賣不了幾個錢。然而CPU的制造成本是非常驚人的，從這里或許我們可以理解，為什么這東西賣這么貴了。
在測試這個環(huán)節(jié)很重要，比如你的處理器是6300還是6400就會在這個環(huán)節(jié)被劃分，而 6300天生并不是6300，而是在測試之后，發(fā)現(xiàn)處理器不能穩(wěn)定的在6400標準下工作，只能在6300標準下穩(wěn)定工作，于是對處理器定義，鎖頻，定義 ID，封裝，印上6300。
我們用AMD的來舉例：同樣核心的處理器都是一個生產(chǎn)線下來的，如果穩(wěn)定工作在2.8GHz，1M*2的緩 存下，就被定義為5600+，如果緩存有瑕疵，切割有問題的那一半，成為5400+，如果緩存沒問題而頻率只能在2.6G通過測試，那么就是5200+， 如果緩存有瑕疵，就切割成為5000+…………一直把它測到3800+，如果還不穩(wěn)定，要么想辦法變成速龍64單核或者單核閃龍，或者就是出現(xiàn)過的ES版 的雙核閃龍，如果出現(xiàn)批量不能工作在3800+條件下，而工作在3600+條件下，那么3600+就上市了，如果出現(xiàn)批量能工作在3G，1M*2條件下， 那么6000+就上市了，這就是為什么處理器總是中等型號的先上市，高端和底端的后上市，當然后期工廠可能會節(jié)約成本專門開出底端的流水線，專門生產(chǎn)低端 處理器，賽揚，閃龍的各種型號就相繼上市，而高端的流水線因為個別處理器不穩(wěn)定轉(zhuǎn)變?yōu)榈锥颂幚砥鳎鐚⑺冽?4緩存切割就變?yōu)殚W龍64。
沙子：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級，下同。通過多步凈化得到可用于半導體制造質(zhì)量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜 質(zhì)原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot)。
單晶硅錠：整體基本呈圓柱形，重約100千克，硅純度 99.9999％。
硅錠切割：橫向切割成圓形的單個硅片，也就是我們常說的晶圓 (Wafer)。順便說，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？
晶圓：切割出的晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當鏡子。事實上，Intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓，而是從第三方半導體企業(yè)那里直接購買成 品，然后利用自己的生產(chǎn)線進一步加工，比如現(xiàn)在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是，Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。
光刻膠(Photo Resist)：圖中藍色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。
光刻：光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下，變得可溶，期間發(fā)生的化學反應類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預 先設(shè)計好的電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說，在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。
光刻：由此進入50-200納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器，不過從這里開始把視野縮小到其中一個上，展示如何制作晶體管等部 件。晶體管相當于開關(guān)，控制著電流的方向。現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小，一個針頭上就能放下大約3000萬個。
溶解光刻膠：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致
蝕刻：使用化學物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。
清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。
光刻膠：再次澆上光刻膠(藍色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。
離子注入(Ion Implantation)：在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū) 域的硅的導電性。經(jīng)過電場加速后，注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。
清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。
晶體管就緒：至此，晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。
電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。
銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。
拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。
金屬層：晶體管級別，六個晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層，具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看 起來異常平滑，但事實上可能包含20多層復雜的電路，放大之后可以看到極其復雜的電路網(wǎng)絡，形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。
晶圓測試：內(nèi)核級別，大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。
晶圓切片(Slicing)：晶圓級別，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個處理器的內(nèi)核(Die)。
丟棄瑕疵內(nèi)核：晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準備進入下一步。
單個內(nèi)核：內(nèi)核級別。從晶圓上切割下來的單個內(nèi)核，這里展示的是Core i7的核心。
封裝：封裝級別，20毫米/1英寸。襯底(基片)、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起，就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當于一個底座，并為處理器內(nèi) 核提供電氣與機械界面，便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負責內(nèi)核散熱的了。
等級測試：最后一次測試，可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級，比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme，還是低端型號Core i7-920。
裝箱：根據(jù)等級測試結(jié)果將同樣級別的處理器放在一起裝運。
零售包裝：制造、測試完畢的處理器要么批量交付給OEM廠商，要么放在包裝盒里進入零售市場。
來源：半導體設(shè)備資訊站
半導體工程師
半導體經(jīng)驗分享，半導體成果交流，半導體信息發(fā)布。半導體行業(yè)動態(tài)，半導體從業(yè)者職業(yè)規(guī)劃，芯片工程師成長歷程。
新制程和架構(gòu)的酷睿Ultra平臺發(fā)布啦！它到底行不行呢？搭載它的全球首款量產(chǎn)機型聯(lián)想小新Pro 16,性能和續(xù)航表現(xiàn)又如何呢？本文一次性回答！
內(nèi)容主要分兩大部分：
■第一部分是全新酷睿Ultra處理器平臺的性能測試，這貨到底行不行？
■第二部分是2024款小新Pro 16的提升點，該機值得下手嗎？
先了解基礎(chǔ)知識點：大部分酷睿Ultra處理器“參考熱設(shè)計功耗”（TDP）為28W，理論來說它是針對輕薄本、輕便本的處理器，對位的是酷睿i5-1340P/1350P,以及銳龍R7-7840U這種輕薄本處理器的。而不是對位酷睿i5-13500H/i7-13700H、銳龍R7-7840H/HS這種“高性能標壓處理器”的。
但，理論歸理論，其他廠商愿意把酷睿Ultra放啥本兒里是他們的自由，反正呢，聯(lián)想把酷睿Ultra 5 125H塞入了小新Pro 2024系列——而小新Pro系列以前用的可是酷睿13500H、銳龍7840HS這類處理器。難道說，別看Ultra標準TDP 28W，但要是把功率拉上去就一點也不慫呢？畢竟，英特爾官方給的規(guī)格表中，Ultra 5 125H滿功率是60W+！
所以，第一部分我們要回答的主要問題就是：放在小新Pro 16肚子里的Ultra 5 125H到底行不行？
TIPS：對比機型都是小新Pro，包含i5-13500H款和R7-7840HS款，同機型對位！
▲酷睿Ultra 5 125H采用7nm工藝（Intel 4）,4個性能核（大核）+8個能效核（小核），另外相對13代酷睿新增了2個低功耗小核，共計14核18線程。它還首度引入神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元NPU，采用了CPU+GPU(集顯)+NPU的架構(gòu)。
▲內(nèi)存很猛，雙通道2×16GB的LPDDR5x 7467——酷睿平臺第一次在內(nèi)存規(guī)格上超過了銳龍。且該機還有個奇特功能，咱們后面說。
下面的順序是：先考機看功率輸出；再跑理論基準給性能“定調(diào)”；最后看實際應用表現(xiàn)（含續(xù)航）。
▲考機。預設(shè)“野獸模式”，Aida 64默認勾選四項最接近實際應用情況。考機10分鐘，環(huán)境溫度20℃。處理器封裝功率穩(wěn)定在57W～59W（其實最高62W，我謙虛了），內(nèi)部溫度76～84℃；大核頻率4.3GHz，小核的頻率不算高只有2.8GHz,低功耗小核則有2.5GHz。
▲如果改為“只考FPU”，這時功率最高可上到67W（我又謙虛了），同時處理器內(nèi)部最高溫度也會接近90℃。但實際上處理器各核心的頻率基本沒變！
▲接著考GPU（集成顯卡）。之前有消息稱Ultra平臺的集顯很猛，畢竟換了Arc銳炫。不過其考機功率讓我們有點疑惑——跑滿就28W左右，頻率2.2GHz，整機電表功耗只有58W。相應的，銳龍Radeon 680M和780M要跑滿功耗要50W和58W，整機功耗高達90W！而如此大的功率差，我們有點忐忑，Arc Graphics能打過Radeon 680M/780M嗎？
基準測試開始：
▲CPU-Z、Cinebench R23/2024基準，Ultra 5 125H總體介于i5-13500H和R7-7840HS之間（三個對比都是小新Pro，很能說明問題）！但考慮到這貨定位是28W定位的處理器，這樣的表現(xiàn)好像還不錯！
▲GPU（集成顯卡）部分的基準測試可就相當長臉了！3DMark Time Spy得分高達3621分，相對于Iris Xe和Radeon 780M分別提升了131%和24%！3DMark Fire Strike得分9265，領(lǐng)先幅度也有76%和13%！
▲當然老鳥們都知道，3Dmark跑分并不意味著實際應用表現(xiàn)，這里我們又來了個“小而美”的游戲3D性能基準測試，Unigine Valley，平均幀速84.1fps，依然領(lǐng)先Iris Xe和Radeon 780M，幅度為58%和15%。所以你也可以這樣理解：游戲性能相對于13代酷睿至少提升60%吧！
這下基本“坐實”：英特爾家Arc集顯3D性能以28W功率超越了AMD家58W的Radeon 780M集顯，終于揚眉吐氣！而有了基準測試的定調(diào)，接下來測實際應用表現(xiàn)。選取的應用都是大家常見的、高頻的：
▲日常辦公。UL Procyon“辦公室生產(chǎn)力”項目基于Office四件套，數(shù)據(jù)量更大、負載更高，更符合現(xiàn)代辦公的強度。它同時考驗處理器的爆發(fā)性能 和 短時GPU性能。Ultra 5 125H相較i5-13500H和R7-7840HS分別領(lǐng)先6%和12%，酷睿平臺在辦公應用上的優(yōu)勢繼續(xù)擴大。
接著是“新時代年輕人的日常”——輕量級的視頻編輯。這個部分我們比其他媒體專業(yè)多了，進行了四個具體類型的拆分：
▲第一類是大家最常用的“視頻剪輯”。“UL Procyon視頻編輯”測試項考驗Pr的視頻剪輯導出效率，這個測試考驗CPU和GPU的持續(xù)性能。之前Irix Xe集顯遠不及Radeon 780M集顯，所以2023款的小新Pro，銳龍款得分大幅高過酷睿款。但酷睿Ultra逆轉(zhuǎn)了形勢，Ultra 5 125H款小新Pro 16得分3540分，比i5和R7款高出25%和12%！
▲第二類是“圖生視頻”，用Pr將一堆圖片組合成視頻。這里用若干超清美食圖做一個宣傳短片。該測試項對CPU+GPU的持續(xù)性能輸出要求更高，負載更大。不過即便是13代酷睿H對陣銳龍7000H，由于前者對GPU（Iris Xe）的利用更充分，所以13代酷睿平臺本就是小勝。但Ultra 5 125H則將酷睿平臺的優(yōu)勢進一步拉大，相對于i5也少耗時42%，相對于R7更是少耗時49%，速度近乎快了一倍！
▲第三類是Media Encoder視頻轉(zhuǎn)碼。過去幾年是酷睿平臺優(yōu)勢項目。但隨著Radeon 780M性能飆升，酷睿平臺的Me視頻轉(zhuǎn)碼優(yōu)勢正在逐漸消退。而酷睿Ultra的出現(xiàn)再度讓優(yōu)勢天枰倒向酷睿，轉(zhuǎn)碼耗時分別比i5和R7少19%和20%，這也是相當不俗的表現(xiàn)！
▲第四類是After Effects特效視頻制作。現(xiàn)在做視頻，稍微要上點檔次，Ae就是必學技能。我們制作18秒的粒子特效視頻，該應用主要吃處理器頻率和核心數(shù)量。這次“出意外了”i5-13500H款效率最高，Ultra 5 125H的耗時最長。但總體來說差異不算大。
下面是網(wǎng)游實測環(huán)節(jié)(集顯本玩大型游戲好像不是主要訴求)，咱們就看兩款最熱門的網(wǎng)游，《原神》和《英雄聯(lián)盟》。
▲《原神》表現(xiàn)。2.5K分辨率低畫質(zhì)，Iris Xe平臺（i5-13500H）完全無法流暢（跑路才37fps），所以只比Ultra 5和R7。結(jié)果，整機功耗65W左右的小新Pro 16，勝過了整機95W+功耗的R7-7840HS款小新Pro！解釋一下：這個游戲最高鎖定60fps，所以能穩(wěn)定跑60fps，和58fps，其實差異并不小。R7-7840HS款操控感明顯差一截，功耗還高30W左右！
▲《英雄聯(lián)盟》表現(xiàn)，也只比R7和Ultra 5(13500H降低畫質(zhì)也可流暢)。功耗低得多的Ultra款小新Pro依然碾壓功耗高得多的R7-7840HS款小新Pro。
·最后一部分常見應用測試是“低負載應用續(xù)航”，包含辦公、本地視頻播放、在線視頻播放。它考驗兩個東西：首先是酷睿Ultra的平臺閑置/低負載應用功耗；第二是小新Pro 16的電池容量。結(jié)果相當刺激▼
▲Ultra款小新Pro 16息屏斷網(wǎng)整機閑置功耗普遍3W左右，干凈系統(tǒng)時不到2W，加上超大84Wh電池，在50%屏幕亮度+50%音量+節(jié)能模式下，三個實測項都有夸張的長續(xù)航！尤其是辦公續(xù)航和在線視頻續(xù)航兩項，還巨幅碾壓了14英寸搭載75Wh電池的小新Pro 14（右側(cè)圖是之前的評測，對比嚇人啊——要知道后兩者的14英寸屏可比16英寸屏省電）。
第一部分結(jié)論：
1.酷睿Ultra的純CPU性能相對13代酷睿H提升不算大（但與準確對位的酷睿P/銳龍U比可能結(jié)果就不一樣了）。
2.酷睿Ultra的GPU性能巨幅提升，理論性能相對Iris Xe翻倍都不止，這也帶來了日常應用表現(xiàn)、視頻編輯效率、游戲表現(xiàn)的巨幅提升，大量應用也實現(xiàn)了對銳龍R7-7840HS平臺的翻盤，且整機功耗還低得多！總體來說，放在小新Pro肚子里的酷睿Ultra,真的很行！
但有一點要提到：盡管酷睿Ultra平臺前瞻性地引入了神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元NPU，且早已開始了與圖形圖像、視頻編輯軟件商的合作，但目前看來其AI性能的大幅提升主要源自GPU提升。要充分利用NPU，還要假以時日，相信用不了太久。
第二大部分：小新Pro 16 2024有哪些升級：
·第一個升級點就是電池從2023款的75Wh長壽命電池進一步提升到了84Wh長壽命電池，結(jié)合上酷睿Ultra的功耗優(yōu)化，達成了夸張長續(xù)航。
·第二個升級點是雷電4接口支持20Gbps帶寬了。可能很多人不知道，雷電4作為40Gbps帶寬的全能接口，原本是沒有20Gbps這個支持項的，你插入USB3.2 Gen×2的20Gbps帶寬的SSD移動硬盤，也只能做10Gbps的USB3.2 Gen2使用。但2024款小新Pro 16采用升級后的新雷電4控制器，支持20Gbps帶寬了。我們實測拷貝速度可達1.7GB/s,比10Gbps的800MB/s快了一倍多！而這種20Gbps的移動硬盤盒也就199元起，大家都消費得起。
·第三個升級點是適配器更小更輕更便攜了。不再使用兩段式傳統(tǒng)筆記本適配器，而是直插式的氮化鎵100W功率適配器，重量從2023款的370g降到了234g，超攜帶。
·第四個升級點是BIOS中引入了一個SAGV功能，可通過禁用它將內(nèi)存頻率鎖定在7467MHz上，算是個極客玩法。實測處理器性能在部分應用上會小幅度提升，但也會導致個別應用的閃退，所以只推薦給極客玩家們折騰。
當然，除開以上提升點，小新Pro本就是易用性極佳的輕薄輕便類筆記本：
· “觸控板手勢”功能，開啟后可在觸控板上調(diào)節(jié)全屏應用的屏幕亮度和音量。
· 基于TOF近距離傳感器的“（離開）自動睡眠/（返回）自動喚醒”功能，配合攝像頭的人臉識別，可非常便捷自如地保護隱私，并同時達成快速系統(tǒng)登錄，體驗相當好。
· 還能啟用“播放和暫停”功能，用戶離開后視頻自動暫停，返回后自動播放。
評測結(jié)論
酷睿Ultra的集顯（GPU）性能飆升，相對于13代酷睿更是倍增都不止，功耗也控制出色，僅僅是酷睿Ultra 5 125H就能以很低的平臺/整機功耗，在大部分應用上達成了對整機功耗更高的銳龍R7-7840HS的翻盤。所以酷睿Ultra，準確說是放在小新Pro 16肚子里的酷睿Ultra真的猛！
另一方面，聯(lián)想小新Pro 16也通過一系列優(yōu)化，增加了更多功能，續(xù)航更是在平臺紅利和超大電池加持下堪稱夸張，絕對值得推薦！
筆記本市場格局又要發(fā)生變化了！