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新聞資訊


    AM3358開發(fā)板


    閱讀提綱

    摘要

    本PCB設(shè)計指南由德力威爾王術(shù)平根據(jù)《AM335X英文數(shù)據(jù)手冊2013版》之DDR3章節(jié)翻譯、編撰而成,包含AM3358處理器簡介、DDR3與MPU電路連接、PCB堆疊設(shè)計、DDR3與MPU布局、DDR3布線區(qū)、旁路電容參數(shù)與位置、DDR3信號分組、DDR3終端電阻、DDR3參考電壓布線、DDR3數(shù)據(jù)線走線拓?fù)渑c布線規(guī)則等實(shí)用內(nèi)容,供廣大PCB設(shè)計者參考學(xué)習(xí)。

    圖1 AM3358功能框圖


    一、AM3358與DDR3硬件平臺簡介

    1.1. AM3358微處理器

    型號:AM3358BZCZA100

    主頻:1GHz

    焊球數(shù)量:324pin

    焊球直徑:0.5mm

    主要特征(見圖1):

    ●ARM Cortex-A8架構(gòu),主頻1Ghz,32位RISC微處理

    ●支持LPDDR、DDR2、DDR3、DDR3L接口

    ●支持NAND Flash、NOR Flash、SRAM

    ●3D 圖形引擎

    ●LCD和觸摸屏控制器

    ●可編程RTC和工業(yè)通信子系統(tǒng)

    ●兩路USB 2.0,支持OTG

    ●10/100/1000M以太網(wǎng)

    ●2路CAN控制器、6路UART、2路MCASP音頻、2路SPI、3路I2C

    ●12Bit ADC

    ●3路32位增強(qiáng)型捕獲模塊

    ●3路增強(qiáng)型高精度PWM


    1.2 DDR3動態(tài)存儲器

    型號:IS43TR16256A-15HBLI

    容量:4Gbit(256M x 16)

    速率: DDR3-1333Mbps

    電壓:1.5V

    溫度:-40℃~95℃

    焊球數(shù)量:96 pin

    焊球直徑:0.5mm

    時鐘:DDR_CK and DDR_CKn工作的標(biāo)準(zhǔn)速率是303 MHz

    數(shù)據(jù)位寬度:16bit

    芯片個數(shù):單片


    二、AM3358和DDR3電路連接方式

    本產(chǎn)品采用單個DDR3和MPU連接,數(shù)據(jù)寬度為16Bit,外部沒有VTT終結(jié)器。連接示意如圖2所示:

    圖2 MPU和DDR3連接關(guān)系


    三、PCB堆疊設(shè)計

    3.1 PCB疊層

    DDR3布線部分至少需要4層板,可以再增加層數(shù),用來走其他的信號或者增強(qiáng)信號完整性和提高電磁兼容抗干擾能力,優(yōu)先考慮將信號布在第一層,第一層布不完時可以布在第四層,但第四層的走線不能跨越第三層電源分割面。PCB疊層如圖3所示:

    圖3 PCB最少疊層方案


    3.2 PCB疊層規(guī)則

    圖4 PCB堆疊規(guī)范


    如圖4所示:

    1. PCB走線層和平面層一共不低于4層;
    2. 信號層不低于2層;
    3. 在DDR3布線區(qū)域的參考電源平面和參考地平面要完整,地平面優(yōu)于電源平面,當(dāng)走線層切換時,確保有旁路電容提供高頻返回路徑;以增強(qiáng)SI完整性、抑止EMI。
    4. DDR3走線線寬典型值在4mil;
    5. 過孔尺寸典型值在10mil/18mil或10mil/20mil
    6. AM3358ZCZ BGA 焊盤尺寸直徑為0.5mm
    7. 單端特征阻抗在50~75歐姆,誤差控制在+-5歐姆。


    四、AM3358和DDR3布局方法


    圖5 DDR3布局規(guī)范


    如圖5所示:

    1. DDR3布線區(qū)域只能走DDR3相關(guān)信號線,禁止其他走線;
    2. DDR3芯片中心水平方向離MPU芯片中心最遠(yuǎn)的距離≤X1+X2(≤1600mil);
    3. DDR3芯片中心垂直方向離MPU芯片中心最遠(yuǎn)的距離≤Y(≤1500mil);
    4. 其他走線離DDR3走線區(qū)邊到邊保持4倍線寬以上;
    5. DDR3離MPU越近,信號傳輸時延裕量就越大,傳輸就越穩(wěn)定;
    6. 其他信號線走線要與DDR走線區(qū)用地平面隔開。


    五、DDR3布線區(qū)域

    DDR3布線區(qū)域同層內(nèi)不允許其他非DDR3信號走線,DDR3布線區(qū)域的參考平面一定要完整的DDR電源平面或地平面,非DDR3信號可以布在DDR3布線區(qū)域下面有完整參考平面隔離的層內(nèi),如圖6所示。

    圖6 DDR3布線區(qū)


    六、大容量低頻旁路電容的使用

    MPU、DDR3需要大體積、大容量的旁路電容。大體積旁路電容盡量靠近MPU和DDR3的電源引腳。但優(yōu)先考慮小體積高頻旁路電容和DDR信號布線空間,然后再考慮大體低頻積旁路電容。

    圖7 大容量旁路電容應(yīng)用規(guī)范


    如圖7所示:

    1. AM3358 VDDS_DDR電源引腳大容量旁路電容的個數(shù)≥2,大電容總?cè)萘俊?0uF;
    2. 保證每一顆DDR3芯片電源引腳大容量電容的個數(shù)≥2,大電容總?cè)萘俊?0uF;
    3. 大電容盡量先滿足DDR3芯片,靠近芯片電源引腳布局。


    七、小容量高頻旁路電容的使用

    DDR3的正常運(yùn)行是離不開高頻旁路電容的,并且要盡量減小連接在DDR電源和地之間的高頻旁路電容的寄生電感。通常來說,至少做到以下幾點(diǎn)是比較好的:

    1、安裝的高頻旁路電容盡可能的多一點(diǎn);

    2、盡量減少旁路電容到需要旁路的CPU或DDR芯片上的電源引腳之間的距離;

    3、使用物理尺寸盡量小中容量盡量高的旁路電容;

    4、旁路電容打過孔的孔徑盡量大,旁路電容焊盤到它的過孔之間的連線盡量要寬;

    5、盡量不要多個旁路電容的焊盤共用一個焊盤。

    下表是關(guān)于高速旁路電容使用注意事項(xiàng)(如圖8):

    圖8 小容量旁路電容應(yīng)用規(guī)范


    如圖8所示:

    1. 高速旁路電容的封裝尺寸為0201或0402;
    2. 高速旁路電容焊盤中心離被旁路的AM3358的電源引腳和地引腳距離越近越好,建議≤400mil;
    3. AM3358的VDDS_DDR 需要高速旁路電容的個數(shù)≥20,總?cè)萘俊?uF;
    4. 連接過孔離AM3358的VDDS_DDR和地引腳越近越好,典型值≤35mil,最長不超過70mil;
    5. 高速旁路電容焊盤中心離被旁路的DDR3的電源引腳和地引腳距離越近越好,建議≤150mil;
    6. DDR3高速旁路電容的個數(shù)≥12,總?cè)萘俊?.85uF;
    7. 高速旁路電容到被旁路的電源和地引腳連線的過孔個數(shù)≤2;過孔的離電容焊盤的走線長度典型值≤35mil,最長≤100mil;
    8. 高速旁路電容到DDR3的電源和地引腳過孔個數(shù)≤1,過孔離引腳的走線長度典型值≤35mil,最長≤60mil;
    9. 兩個高速旁路電容分別在頂層和底層鏡像布局,則可以共用一個過孔;

    10.旁路電容和電源引腳和地引腳可以共用一個過孔;

    11.DDR3一對電源可以共用一個過孔,一對地引腳可以共用一個過孔。


    八、DDR3信號分組

    8.1 DDR3的時鐘網(wǎng)絡(luò)分組

    圖9 時鐘組定義


    CK主時鐘組(差分對):DDR_CK& DDR_CKn;

    DQS0數(shù)據(jù)同步時鐘組(差分對):DDR_DQS0& DDR_DQSn0;

    DQS1數(shù)據(jù)同步時鐘組(差分對):DDR_DQS1& DDR_DQSn1;


    8.2 DDR3地址/數(shù)據(jù)信號網(wǎng)絡(luò)分組

    圖10 信號組定義


    CA地址控制組(單端線):DDR_BA[2:0]、DDR_A[15:0]、DDR_CSn0、DDR_CASn、DDR_RACSn、

    DDR_WEn、DDR_CKE、DDR_ODT,以CK時鐘組對齊;

    DQ0字節(jié)組(單端線):DDR_D[7:0]、DDR_DQM0,以DQS0時鐘組對齊;

    DQ1字節(jié)組(單端線):DDR_D[15:8]、DDR_DQM1,以DQS1時鐘組對齊。


    九、DDR3信號終端電阻應(yīng)用

    本例中DDR3芯片內(nèi)含有針對DQS[x]和DQ [x]的ODT(片內(nèi)終結(jié)器),而CK和ADDR_CTRL既沒有內(nèi)部的ODT,也沒有外接VTT終結(jié)器,但這并不影響信號完整性,可以這樣應(yīng)用。


    十、DDR3的 參考電壓DDR_VREF布線

    DDR_VREF走線寬度通常為20mil(0.508mm),如果布線空間有限可適當(dāng)減小寬度。在MPU和DDR的每個DDR_VREF電源引腳附近,就近要放置一個0.1uF的高頻旁路電容。


    十一、DDR3的 CK和ADDR_CTL拓?fù)浜筒季€規(guī)則

    11.1 CK和ADDR_CTL拓?fù)?/h1>

    圖11 CK組合CA組布線拓?fù)?/p>


    所選DDR3型號的CK和CA信號如需并聯(lián)端接電阻,就按上圖所示拓?fù)洳季€;所選DDR3型號的CK和CA信號若無需并聯(lián)端接電阻,忽略AT走線,忽略并聯(lián)端接的電阻、電容器。本項(xiàng)目所選DDR3型號為后者。


    11.2 CK和ADDR_CTL走線

    圖12 CK組合CA組布線方法


    所選DDR3型號的CK和CA信號如需并聯(lián)端接電阻,就按上圖所示布線;所選DDR3型號的CK和CA信號若無需并聯(lián)端接電阻,忽略AT走線,忽略并聯(lián)端接的電阻、電容器。本項(xiàng)目所選DDR3型號為后者。


    十二、DDR3的DATA線走線拓?fù)渑c走線規(guī)則

    12.1 DATA線拓?fù)?/h1>


    圖13 DATA線拓?fù)?/p>


    數(shù)據(jù)對齊時鐘DQS[x]是點(diǎn)到點(diǎn)的差分信號線,所有數(shù)據(jù)線DQ[x]是點(diǎn)到點(diǎn)的單端信號線。


    12.2 DATA線布線方法

    圖14 DATA線布線方法


    數(shù)據(jù)對齊時鐘DQS[x]是點(diǎn)到點(diǎn)的差分布線,所有數(shù)據(jù)線DQ[x]是點(diǎn)到點(diǎn)的單端布線。


    十三、DDR3布線長度規(guī)則

    13.1 CK和ADDR_CTL布線長度規(guī)則

    CK組內(nèi)差分線要匹配等長;

    ADDR_CTL(CA)組內(nèi)的各個信號線要以CK組為對齊基準(zhǔn),匹配等長;

    CK和ADDR_CTL(CA)走線的最大長度可以采用下圖的曼哈頓距離來確定:

    圖15 曼哈頓距離計算最長走線


    一旦MPU和DDR3的位置固定下來后,采用上圖中曼哈頓距離確定的布線長度就是最長布線長度了;CK和ADDR_CTL(CA)以此線作為基準(zhǔn)長度,盡量減少長度偏移;

    多個DDR3時,接入DDR3的短的樹樁線和外接VTT終端的短的樹樁線,不包含在長度計算內(nèi)。

    最長布線長度計算公式:CALM=CACLMY+CACLMX+300mils;此處額外的300mils作用是給布線空間留有充足的余量,這里CACLMY=A1,CACLMX=A2+A3,所以CALM=A1+A2+A3+300mil=2500mil+660mil+300mil=3460mil。

    CK和ADDR_CTL(CA)布線長度詳細(xì)規(guī)則如圖16所示:

    1、(A1+A2)長度≤2500mil,允許偏差長度≤25mil;

    2、A3長度≤660mil,允許偏差長度≤25mil;

    3、單端線AS長度≤100mil,允許偏差長度≤25mil;

    4、差分線AS+和AS-長度≤70mil,允許偏差長度≤5mil;

    5、單端線端接電阻走線AT長度≤500mil,允許偏差長度≤100mil;

    6、差分線端接電阻走線AT長度≤500mil,允許偏差長度≤5mil;

    7、CK組合CA組典型的長度為CALM+-50mil;

    8、CK線和其他DDR3走線間距≥4W原則(線中心到線中心);

    9、CA線和其他DDR3走線間距≥4W原則(線中心到線中心);

    10、CK差分對內(nèi)部間距要滿足阻抗匹配的;

    11、CK線到其他非DDR3信號線之間的距離≥4 W原則(線中心到線中心);

    12、Rcp端接電阻為特征阻抗Zo+-1Ω,Rcp端接電阻為特征阻抗Zo+-1Ω,Rtt端接電阻為特征阻抗Zo+-5Ω,單端特征阻抗Zo為50~75歐姆,差分特征阻抗Zo為單端特征阻抗的2倍。

    圖16 CK組和CA組布線長度規(guī)則


    圖中(n)備注:

    (1)CK表示時鐘信號網(wǎng)絡(luò)組,ADDR_CTRL表示地址、控制信號網(wǎng)絡(luò)組;

    (2)盡量使用最少數(shù)量的過孔;

    (3)當(dāng)要在DDR3電源層作為參考平面打過孔換層時,需要添加返回電流旁路電容;

    (4)鏡像放置;一個放置在頂層、一個放置在底層,呈鏡像重合狀。

    (5)非鏡像放置:所有的DDR3在同一層;

    (6)盡量減小走線長度;

    (7)只針對ADDR_CTRL網(wǎng)絡(luò)組,建議減小長度偏移,但不是必須的;

    (8)只針對CK網(wǎng)絡(luò)組;

    (9)CACLM是最長的曼哈頓距離;

    (10)當(dāng)走線長度超過1250mils時,允許適當(dāng)減小線中心到線中心的距離;

    (11)不同DDR3的信號線;

    (12)CK是差分阻抗歐姆,差分阻抗是單端阻抗的2倍;

    (13)外接的VTT終結(jié)器是絕對不允許放置在源端(CPU驅(qū)動端)。


    13.2 DQS[x]和DQ[x]布線長度規(guī)則

    不建議,也不必將所有的數(shù)據(jù)線匹配等長,但將每1字節(jié)的數(shù)據(jù)匹配等長是必須的??捎寐D距離確定最長走線長度。

    圖17 曼哈頓距離確定DQ組布線最長長度



    圖18 DQ組布線長度匹配規(guī)則


    如圖18所示:

    1、DQS和DQ線有內(nèi)部ODT功能,不允許外接終端匹配電阻;

    2、DQ0數(shù)據(jù)組標(biāo)稱長度≤DQLM0(數(shù)據(jù)0組的曼哈頓距離),允許偏差長度≤25mil;

    3、DQ1數(shù)據(jù)組標(biāo)稱長度≤DQLM1(數(shù)據(jù)1組的曼哈頓距離),允許偏差長度≤25mil;

    4、DQS0數(shù)據(jù)對齊時鐘和DQ0數(shù)據(jù)組一樣長,允許偏差長度≤25mil;

    5、DQS1數(shù)據(jù)對齊時鐘和DQ1數(shù)據(jù)組一樣長,允許偏差長度≤25mil;

    6、DQ0組(含DQS0)與DQ1組(含DQS1)不用等長,以各自的字節(jié)對齊即可;

    7、DQ[x]組內(nèi)走線間距≥3W原則(線中心到線中心);

    8、DQ[x]和其他DDR3走線間距≥4W原則(線中心到線中心);

    9、DQS[x]組內(nèi)間距應(yīng)滿足差分阻抗;

    10、DQS[x]和其他DDR3走線間距≥4W原則(線中心到線中心);當(dāng)走線長度超過1250mils時,間距允許降到最小的4W原則;

    11、TI官方文檔規(guī)定了CK時鐘線和ADDR_CTRL線匹配等長,DQS[x]與DQ[x]匹配等長,但是并沒有規(guī)定CK和DQS[x]匹配等長。但依據(jù)德力威爾王術(shù)平的設(shè)計經(jīng)驗(yàn),建議控制DQS(含DQ)布線長度小于CK布線長度,DQS(含DQ)線盡量最短。


    十四、AM3358之DDR3布線規(guī)范總結(jié)

    1.走線最長≤63.5mm

    2.地址/控制組以時鐘組對齊,長度誤差為2.54mm;數(shù)據(jù)組一定要比時鐘組走線長度要短,盡量最短;

    3.時鐘組組內(nèi)長度誤差0.127mm

    4.地址組組內(nèi)長度誤差0.635mm

    5.數(shù)據(jù)組內(nèi)DQS對之間誤差0.127mm

    6.數(shù)據(jù)組內(nèi)DQ組內(nèi)誤差0.635mm

    7.數(shù)據(jù)組內(nèi)DQS與DQ之間誤差0.635mm

    8.數(shù)據(jù)組DQS0與DQS1兩對之間誤差不限,但盡量短;

    9.所有線與CLK對齊(Address>CLK>Data)

    10.數(shù)據(jù)0組以DQS0&DQSN0對齊

    11.數(shù)據(jù)1組以DQS1&DQSN1對齊

    12.DQS0與DQS1組與CLK組對齊

    13.所有地址組與CLK組對齊

    14.CPU電源、地焊盤打孔引線≤1.778mm

    15.CPU退耦電容打孔距離CPU焊盤≤10mm

    16.退耦電容一個焊盤上打孔≥2個

    17.CPU電源焊盤打孔≥1個

    18.DDR3電源、地引腳焊盤打孔引線≤1.54mm

    19.DDR3退耦電容打孔與DDR3電源引腳距離≤3.81mm

    20.DDR3退耦電容一個焊盤打孔≥2個

    21.DDR3電源、地引腳打孔≥1個

    22.DDR3_VREF基準(zhǔn)電源線寬度:0.508mm/3W

    23.CLK、Address、Data組外間距4W,組內(nèi)間距3W

    24.DDR3的數(shù)據(jù)引腳靠近CPU一端

    25.CPU和DDR3布局的間距:水平25.4mm 垂直38.1mm 之內(nèi)

    26.走線長度=曼哈頓距離+7.62mm

    德力威爾電子工程師培訓(xùn)中心PCB培訓(xùn)實(shí)例


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    作者簡介:德力威爾王術(shù)平,嵌入式軟硬件全能設(shè)計工程師,應(yīng)用電子技術(shù)獨(dú)立研究員,應(yīng)用電子技術(shù)授課講師,德力威爾電子工程師培訓(xùn)學(xué)校創(chuàng)始人。

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    Multistrada(攬途)是杜卡迪眾多車型中,最具冒險精神的車系。有著犀利動感的外形、不俗的動力表現(xiàn)以及激情似火的精神信仰。而這次杜卡迪在云南麗江發(fā)布的全新Multistrada 950和950 S兩款車型,在原有基礎(chǔ)上做了全新升級尤其是950 S,別看這兄弟倆名稱上只有一個“S”的區(qū)別,其實(shí)是內(nèi)有乾坤大不一樣!



    Multistrada 950杜卡迪紅色版售價:14.3萬元

    Multistrada 950 S杜卡迪紅鑄輪版售價:16.2萬元

    Multistrada 950 S亮光灰鑄輪版售價:16.4萬元

    Multistrada 950 S杜卡迪紅輻條版售價:17萬元

    Multistrada 950 S亮光灰輻條版售價:17.2萬元



    新款Multistrada 950 S/950在外形上繼承了Multistrada車系的一貫風(fēng)格,高大威猛的同時,不失意式風(fēng)情的浪漫情調(diào),緊湊簡潔的車身設(shè)計,營造出清爽干練的感覺。



    前方車頭造型加上經(jīng)典的鳥嘴設(shè)計,詮釋出犀利兇狠的既視感。



    這次發(fā)布會全新的Multistrada 950 S無疑是全場的焦點(diǎn),相較于新款950來說它做了很多升級。首先它們都采用全新的博世六軸IMU,讓電控系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了更快更精準(zhǔn)的釋放,進(jìn)一步提升了騎行安全。



    發(fā)動機(jī)看似和以前一樣,實(shí)則有了很大變化。9000rpm時能輸出最大馬力113匹,最大扭矩9.8KG.m(約合95N.m)則在7750rpm產(chǎn)生。全新調(diào)校的發(fā)動機(jī)有著平滑線性的動力曲線,而且從3500rpm至9000rpm之間就能提供大于80%的扭力輸出,這樣的動力特性可以讓日常騎行更為便利,避免扭矩不足而帶來的頻繁換擋。在激情狂奔中,大扭矩輸出又能提供刺激的加速快感。



    全新950 S的LED頭燈也不簡單,配合博世IMU系統(tǒng)可以檢測車身傾角,根據(jù)角度開啟彎道照明系統(tǒng),大大提升了騎士夜間騎行的安全系數(shù)。



    Multistrada 950 S配備的天棚懸掛系統(tǒng),根據(jù)騎士的自身?xiàng)l件、路面情況、動力模式、可以提供多種自定義組合,讓騎士找到最適合的騎行數(shù)據(jù)。



    在安全方面Multistrada 950 S和950一樣,搭載了前320mm雙浮動盤配Bremo M4.32對向四活塞卡鉗,后制動為單盤配Brembo單向雙活塞卡鉗,在輔以Brembo的直推上泵,讓制動力更為強(qiáng)勁且線性。而且還有博世三段可調(diào)的ABS系統(tǒng)以及彎道ABS和前后聯(lián)合制動,再加上8段可調(diào)DTC牽引力控制系統(tǒng),讓被動安全上升到了一個新的高度。



    而且它們還配備了坡道輔助系統(tǒng),這個系統(tǒng)在實(shí)際使用中也很方便,坡道停車時,只需要大力捏住前剎就能觸發(fā)系統(tǒng),讓車輛在坡道上保持靜止十秒左右,解除也很簡單掛擋起步就自動釋放剎車了。



    在儀表方面Multistrada 950 S更為先進(jìn),采用了一款5寸全彩TFT屏幕,Multistrada 950則是一款液晶儀表。通過這塊TFT儀表,可以輕松設(shè)置上述電控系統(tǒng)的參數(shù),并沒有想象中的復(fù)雜,唯一的遺憾就是沒有中文菜單,不懂英文的朋友要熟悉一段時間才能操作熟練。



    950 S還配備DQS雙向快速換擋系統(tǒng),行駛中不用捏離合,就能實(shí)現(xiàn)快速的換擋動作,讓加速過程一氣呵成。官方還表示在新款950的車身上也預(yù)留了DQS的安裝位置,后期可自行改裝。



    Multistrada 950 S還配備了無鑰匙啟動,讓騎士能更方便快捷的啟動車輛,



    它們的座高也做了調(diào)整降低至820mm,而且還做了收窄設(shè)計,讓騎行更加安心。但身高不夠1.7米的騎士還是會有些不便,僅能腳尖觸地。



    新款Multistrada 950 S/950在車身減重方面也下了一番功夫,在車身多處采用輕量化合金設(shè)計。讓車輛減重的同時,擁有更好的剛性以及更輕巧的操控感受。



    在第二天長達(dá)180km的騎行中,沿途的雪山美景本就讓人心曠神怡,再加上Multistrada 950 S/950的強(qiáng)力助攻,讓來自心底的愉悅根本無法用語言加以形容。



    跨上950 S首先感到它舒適的騎行三角,座高的降低并沒有帶來我擔(dān)心的局促感,寬大的車把和較為直立的騎行姿態(tài)以及軟硬適中的座墊,營造出舒適的騎行體驗(yàn)。



    手指輕輕一按,啟動這臺937cc的發(fā)動機(jī)。帶來獨(dú)特聲浪的同時,它線性的動力感受,也不會讓你感到恐懼。一擋正常起步時沒有那種猛獸出籠的感覺,一點(diǎn)也不突兀。當(dāng)然了只要你敢給油門,它還是會嚇你一大跳的。



    全新的動力曲線讓扭矩輸出有著很大范圍,避免了頻繁換擋的麻煩,只要不是嚴(yán)重拖擋,想加速就是手腕動動的事。



    Multistrada 950 S/950的四種騎行模式(運(yùn)動、旅行、公路、越野)有著非常明顯的不同性格,它們在DTC、ABS、彎道ABS、動力輸出方面有著各自的設(shè)定,值得一提的是這些參數(shù)設(shè)定是可以根據(jù)騎士的要求自行設(shè)定的。



    例如:如果感覺旅行模式中的DTC(牽引力控制)介入較早或較晚,你可以在DTC8個等級中,任意選擇一個最合適的介入時機(jī),ABS、動力輸出同理。經(jīng)過這樣一番調(diào)節(jié),每臺杜卡迪都有了自己獨(dú)特的性格。



    在震動方面,Multistrada 950 S/950手把和腳部震感輕微,只是在四五千轉(zhuǎn)的時候,臀部會有些明顯的震感,但并沒有給騎行舒適性帶來過多困擾。



    前面說到Multistrada 950 S/950的制動配置很是高端,在實(shí)際使用中也很好的驗(yàn)證了“一分錢一分貨”的硬道理。而且Brembo的直推上泵手感很好,捏動前剎時能明顯感到制動牛角的阻尼感。制動時隨著手指逐漸加力,Brembo制動系統(tǒng)能很好的線性釋放制動力,傳遞出清晰的制動反饋。在輔以彎道ABS的幫助,不僅讓我在彎前重剎更有信心,緊急情況下彎中制動也更安全了。



    在這次長途騎行中,Multistrada 950 S配備的天棚懸掛系統(tǒng)表現(xiàn)優(yōu)異。在公路上能很好地吸收路面上細(xì)碎的顛簸,彎道中有著足夠的支撐性,給了我很強(qiáng)的穩(wěn)定感。 在非鋪裝路面時,它前后170mm的減震行程發(fā)揮出了優(yōu)勢,能很好的吸收顛簸帶來的震動,而且壓縮回彈的阻尼質(zhì)感也很好。



    在感受DQS快速換擋系統(tǒng)的時候,我還鬧了個笑話。當(dāng)時,我在加速過程中不松油門快速升擋,但腳感生硬,擋位銜接的也比較突兀。詢問教官后才得知,原來DQS升降擋位也是有程序控制的,當(dāng)你升擋轉(zhuǎn)速不夠或者降擋時收油門不徹底,就會有這樣的感覺。



    那么問題來了,DQS的價值到底在哪里呢?其實(shí)DQS在日常駕駛時作用不大,但如果你想激情一下,DQS的價值就體現(xiàn)出來了。經(jīng)過教官的指導(dǎo)后,我進(jìn)彎前大力制動,收油直接降擋,出彎時迅速升擋。這個過程看似只少了一個捏離合的動作,但帶給我的卻是一氣呵成的激情暢快。



    它們在細(xì)節(jié)上也很用心,我想很多摩友都遇到過忘關(guān)轉(zhuǎn)向燈的尷尬吧,但這個尷尬在Multistrada 950 S/950是不存在的,自動復(fù)位轉(zhuǎn)向燈完美解決。



    Multistrada 950 S/950雖然是一部擁有強(qiáng)悍動力的大排量車型,但其更為強(qiáng)大的電控設(shè)備,可以讓很多新手摩友輕松上手,輕松愜意的享受大排量車型帶來的駕馭樂趣。而對于那些有著豐富駕駛經(jīng)驗(yàn)的摩托老手來說,可以直接調(diào)整介入時機(jī)或者直接關(guān)閉電控系統(tǒng),享受Multistrada 950 S/950最原始狂野的真實(shí)本性。



    在發(fā)布會尾聲,杜卡迪官方還宣布了一件令人興奮的事情!明年將在國內(nèi)舉辦讓人嗨到爆的杜卡迪中國周,屆時將會有全球各地的車友匯集中國,一起享受這次盛大的摩托Party!

    Multistrada950S/950參數(shù)

    發(fā)動機(jī):Testastretta11°雙缸發(fā)動機(jī)

    排量:937cc

    最大馬力:113hp/9000rpm

    最大扭矩:9.8kgm(約合95N.m)/7750rpm

    減震:前48mm全段可調(diào)倒立式減震;后全段可調(diào)減震;950S為天棚懸掛系統(tǒng)

    減震行程:前170mm;后170mm

    制動系統(tǒng):前320mm雙浮動盤配Brembo M4.32對向四活塞輻射式卡鉗;后單盤配Brembo單向雙活塞卡鉗;前后聯(lián)合制動系統(tǒng)

    電控設(shè)備:三段標(biāo)配ABS、彎道ABS、八段DTC牽引力控制系統(tǒng)、坡道輔助、四種騎行模式

    彎道照明系統(tǒng)、DQS快速雙向換擋系統(tǒng)(950S)、定速巡航

    儀表:5寸TFT全彩儀表(950S);液晶儀表

    輪胎規(guī)格:前120/70-ZR19;后170/60-ZR17

    軸距:1594mm

    座高:820mm

    干重:201kg

    油箱:20L

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