三星已經(jīng)確認(rèn)將發(fā)布全新的Galaxy S9系列旗艦，除此之外，三星似乎還準(zhǔn)備了另一款產(chǎn)品——平板電腦。
2月22日，一款型號(hào)為SM-T835的三星新設(shè)備現(xiàn)身GFXBench跑分網(wǎng)站，我們知道三星Galaxy Tab S3的型號(hào)為SM-825，因此這款設(shè)備應(yīng)該就是即將推出的新一代平板Galaxy Tab S4了。
配置方面，三星Galaxy Tab S4擁有10.5英寸顯示屏，分辨率為2560×1600，搭載高通驍龍845處理器，配備4GB內(nèi)存+64GB存儲(chǔ)，前置800萬(wàn)+后置1200萬(wàn)像素?cái)z像頭，運(yùn)行安卓8.0系統(tǒng)。
從規(guī)格看出，Galaxy Tab S4是一款定位高端的旗艦平板，這款設(shè)備有望在MWC2018上推出，與三星Galaxy S9系列同步登場(chǎng)。
Pad早就成了平板機(jī)的代名詞，而安卓平板因?yàn)榉N種原因始終差點(diǎn)火候。
今天，三星發(fā)布了全新的Galaxy Tab S8系列，包括Tab S8、Tab S8+和首款超高端的Tab S8 Ultra，聯(lián)手向iPad發(fā)起最強(qiáng)沖鋒。
先來(lái)重點(diǎn)看一下S8 Ultra，采用了14.6英寸超大屏幕，這甚至超過(guò)了很多筆記本，支持分屏操作，可調(diào)整窗口大小，同時(shí)整機(jī)尺寸依然控制在326.4×208.6×5.5毫米，重量762克(Wi-Fi)或者728克(5G)。
屏幕材質(zhì)為Super AMOLED面板，分辨率高達(dá)2960×1848，像素密度240PPI，并支持240Hz高刷、屏幕指紋識(shí)別，附送Book Cover鍵盤套、支架保護(hù)套。
值得一提的是，S8 Ultra使用了匯頂科技的屏下光學(xué)指紋方案、AMOLED觸控方案，不但觸控更靈敏，而且封裝更緊湊，邊框更窄，使得屏占比達(dá)到92％。
附帶重新設(shè)計(jì)的S Pen手寫(xiě)筆，預(yù)測(cè)算法大大降低延遲，并與Clip Studio Paint獨(dú)家合作，可將手機(jī)作為調(diào)色板、S Pen作為畫(huà)筆、Tab S8系列作為畫(huà)布，進(jìn)行聯(lián)合創(chuàng)作，甚至還可以從所拍照片中取色。
三星還與Google合作，優(yōu)化視頻會(huì)議、視頻分享，可與朋友一起看油管視頻、共享瀏覽器、Jamboard、交互式白板。
處理器采用旗艦手機(jī)標(biāo)配的高通驍龍8，搭配8/12/16GB內(nèi)存、128/256/512GB存儲(chǔ)(最大可擴(kuò)展1TB)，電池容量為驚人的11200mAh，并支持SFC 2.0快充，最高功率45W。
拍照也相當(dāng)強(qiáng)悍，后置雙攝包括1300萬(wàn)像素主攝、600萬(wàn)像素超廣角鏡頭、閃光燈，前置雙攝包括1200萬(wàn)像素廣角、1200萬(wàn)像素超廣角。
其他方面，在平板上首次支持Wi-Fi 6E，支持藍(lán)牙5.2、北斗等導(dǎo)航定位、四立體揚(yáng)聲器(AKG/杜比Atoms)、三麥克風(fēng)、USB 3.2 Type-C接口、4K30fps視頻錄制、8K60fps視頻播放、安卓12系統(tǒng)/One UI Tab 4界面、Knox安全，只有一種黑色外觀。
S8+、S8則是上代S7+、S7的對(duì)位升級(jí)版，規(guī)格上相比S8 Ultra也有不少精簡(jiǎn)。
S8+屏幕為12.4英寸，厚度5.7mm，分辨率2800×1752，像素密度266PPI，屏下光學(xué)指紋識(shí)別(匯頂方案)，前攝改為單個(gè)1200萬(wàn)像素超廣角，內(nèi)存沒(méi)有16GB，電池10090mAh，配色可選黑色、粉色、粉金色(Pink Gold)。
S8進(jìn)一步減小為11英寸，厚度6.3mm，面板改為LTPS TFT，分辨率2560×1600，像素密度276PPI，電池8000mAh，側(cè)面指紋識(shí)別與電源鍵二合一(匯頂方案)。
Galaxy Tab S8系列平板即日起開(kāi)啟預(yù)售，25日正式上市，首批登陸韓國(guó)、美國(guó)、歐洲市場(chǎng)。
融界2024年3月25日消息，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，三星電子株式會(huì)社取得一項(xiàng)名為“存儲(chǔ)設(shè)備、包括其的片上系統(tǒng)及操作其的方法“，授權(quán)公告號(hào)CN109841245B，申請(qǐng)日期為2018年11月。
專利摘要顯示，一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括存儲(chǔ)單元陣列和外圍電路。所述存儲(chǔ)單元陣列接收第一電源電壓并包括基于所述第一電源電壓存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)位單元。所述外圍電路接收第二電源電壓，并基于第二電源電壓控制存儲(chǔ)單元陣列。所述外圍電路包括電壓生成電路，其接收第一電源電壓和第二電源電壓。所述電壓生成電路在對(duì)多個(gè)位單元的存儲(chǔ)器操作期間，直接或間接地基于第一電源電壓和第二電源電壓之間的差，自適應(yīng)地調(diào)節(jié)字線驅(qū)動(dòng)電壓，以及將調(diào)節(jié)的字線驅(qū)動(dòng)電壓施加到與從所述多個(gè)位單元中選擇的第一位單元耦接的第一字線。
本文源自金融界